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DMG3406L-7  与  BSS306N H6327  区别

型号 DMG3406L-7 BSS306N H6327
唯样编号 A3-DMG3406L-7 A-BSS306N H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT23
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 1.3mm
Rds On(Max)@Id,Vgs - 44mΩ
上升时间 - 2.3ns
Qg-栅极电荷 - 1.5nC
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值) 495 pF @ 15 V -
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 5S
不同Vgs时栅极电荷(Qg)(最大值) 11.2 nC @ 10 V -
封装/外壳 SOT-23-3 -
工作温度 -55℃~150℃(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 3.6A(Ta) 2.3A
配置 - Single
长度 - 2.9mm
下降时间 - 1.4ns
高度 - 1.10mm
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 770mW(Ta) 500mW(1/2W)
RdsOn(Max)@Id,Vgs 50mΩ@3.6A,10V -
典型关闭延迟时间 - 8.3ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSS306
驱动电压 4.5V,10V -
典型接通延迟时间 - 4.4ns
库存与单价
库存 15,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMG3406L-7 Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-23-3

暂无价格 15,000 当前型号
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Micro3™/SOT-23

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